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晶体开关
磷酸二氘钾DKDP(KD*P)晶体光学损耗低,消光比高,电光性能好。通常采用氘含量98%以上的磷酸二氘钾晶体(DKDP)利用其纵向效应制成电光调Q 开关,适合用于脉冲固体激光器、低重复频率条件时激光美容与激光医疗等领域。
相对于传统的KD*P 电光调制晶体,BBO(偏硼酸钡β-BaB2O4)晶体具有极低的吸收系数,弱的压电振铃效应,更宽的光谱透过范围(210-2000nm)等优点。相对于RTP 电光调制晶体,BBO 晶体具有更高的消光比、抗损伤阈值和温度适应性,有利于提高激光输出功率的稳定性。
光学级掺氧化镁铌酸锂(MgO:LN)晶体以及铌酸锂(LN)晶体拥有较好的电光性能,非线性系数大,光学均匀性好,机械及化学性能稳定,不潮解,半波电压低;其缺点是消光比低,抗损伤阈值低,常被应用于低重复频率(100Hz)。
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